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J-GLOBAL ID：201601019153827520   Update date: Nov. 27, 2024

Fujikawa Sachie

フジカワ サチエ | Fujikawa Sachie
Affiliation and department：
Saitama University

About Saitama University


Job title： Assistant Professor
Homepage URL  (2)： http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher/ssyjgwKB ,  http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher_en/ssyjgwKB
Research field  (4)： Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (10)： ナローバンドギャップ半導体 ,  結晶成長 ,  有機金属気相成長 ,  電子デバイス ,  光デバイス ,  スパッタ ,  分子線エピタキシー ,  化合物半導体 ,  希薄窒化物半導体 ,  窒化物半導体
Research theme for competitive and other funds  (18)：
  • 2024 - 2029 A Study on realizing unexplored frequency and room temperature operation THz-QCL through innovation of inter-subband transition mechanism
  • 2023 - 2026 ナローバンドギャップ領域希薄窒化物半導体薄膜の結晶成長技術開拓と物性解析
  • 2024 - 2025 狭バンドギャップ半導体を用いた光熱電変換材料の創製
  • 2023 - 2024 ナローバンドギャップ領域の半導体成長と物性解析
  • 2022 - 2024 希薄窒化物半導体のナローバンドギャップ領域の特性解析
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Papers (43)：
  • Mitsuhiro Muta, Hiroyuki Oogami, Kengo Mouri, Hirokazu Kawashima, Noritoshi Maeda, Ajmal Khan, Yukio Kashima, Eriko Katsuura, Yuuki Nakamura, Kou Sumishi, et al. Development of Shorter Wavelength 230 nm-Band Far-UVC LEDs and Realization of High Output Power LED Panels. IEICE Tech. Rep. 2023. 123. 290. 102-105
  • Narihito Okada, Takahiro Saito, Sachie Fujikawa, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Kazuyuki Tadatomo. Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2022. 588
  • Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki Fujishiro. Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2022. 40. 3
  • M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
  • M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
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MISC (98)：
  • 平山 秀樹, Ajmal Muhammad Khan, 鹿嶋 行雄, 松浦 恵理子, 前田 哲利, 牟田 実広, 大神 裕之, 毛利 健吾, 河島 宏和, 祝迫 恭, et al. サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展-Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate-特集 深紫外光デバイスの進展とその応用. Optronics : 光技術コーディネートジャーナル. 2024. 43. 5. 76-81
  • 平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate. Optronics. 2024. 509
  • 平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 祝迫恭, 藤川紗千恵, 矢口裕之. 輝きと魅力を増す最近の光源 生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展. 光アライアンス. 2024. 35. 7. 1-7
  • 矢野裕子, 高宮健吾, 藤川沙千恵, 八木修平, 矢口裕之, 小林真隆, 秋山英文. Study on the Binding Energy of Biexcitons Localized at Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-Doped GaAs. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 永田裕弥, 永田裕弥, 仲元寺郁弥, 仲元寺郁弥, 前田哲利, 藤川紗千恵, 藤川紗千恵, 矢口裕之, 祝迫恭, 平山秀樹. Dependence of emission efficiency of 230 nm AlGaN far-UVC LED on quantum well structure. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
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Patents (9)：
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Books (9)：
  • 生体無害ウイルス不活性化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展
    光アライアンス 2024
  • サファイア基板上220~230nmfar-UVC LEDの進展
    OPTRONICS(2024)No.5 2024
  • 光の更なる活用を目指して
    埼玉新聞 サイ・テクこらむ#472 2021
  • 光・電子デバイスの研究に携わって
    映像情報メディア学会誌 2014
  • 素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化
    OPTRONICS、Vol. 33, No. 386, P. 58-66 2014
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Lectures and oral presentations  (186)：
  • Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
    (12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ACSIN-12&ICSPM21))
  • Reduction of Forward Voltage in 230 nm AlGaN far-UVC LED Using Polarization Assisted AlGaN Hole Injection Layer
    (APWS 2024)
  • GaN系10THz帯量子カスケードレーザー光利得のドーピング濃度依存性
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • AlN基板を用いた片面金属導波路GaN系THz-QCLの導波路解析
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • MBE法を用いたBeドープInSb薄膜の成長と電気的特性評価
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
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Work history (9)：
  • 2019/10 - 現在 埼玉大学 大学院理工学研究科 助教
  • 2013/04 - 現在 理化学研究所 テラヘルツ量子素子研究チーム(平山量子光素子研究室) 客員研究員(兼任)
  • 2023/04 - 2024/03 放送大学学園 放送大学 非常勤講師(面接授業担当)
  • 2017/04 - 2019/09 東京電機大学 工学部電気電子工学科 助教
  • 2013/04 - 2017/03 情報通信研究機構 協力研究員(兼任)
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Committee career (1)：
  • 2024/03 - 2026/02 電子材料シンポジウム実行委員会 会場委員
Awards (5)：
  • 2013/04 - 日本学術会議総合工学委員会ICO分科会 第三回先端フォトニクスシンポジウム 人気ポスター賞
  • 2012/11 - 独立行政法人科学技術振興機構 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域 第5回公開シンポジウム ポスター賞
  • 2012/01 - 理化学研究所 平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会 ポスター賞
  • 2010/05 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2001/03 - 大阪府知事賞
Association Membership(s) (4)：
応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会 ,  日本赤外線学会 ,  Materials Research Society
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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