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J-GLOBAL ID：201303010896350351

発光素子及びその製造方法

Inventor： 鹿嶋 行雄 ,  松浦 恵里子 ,  西原 浩巳 ,  田代 貴晴 ,  大川 貴史 ,  平山 秀樹 ,  藤川 紗千恵 ,  尹 成圓 ,  高木 秀樹 ,  上村 隆一郎 ,  長田 大和
Applicant, Patent owner： 丸文株式会社 ,  東芝機械株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社アルバック
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章 ,  今村 健一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012534462
Patent number：5315513
Application date： May. 25, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 異なる屈折率を持つ2つの系(構造体)からなるフォトニック結晶周期構造であって、 前記2つの系(構造体)の界面において、該フォトニック結晶周期構造を決定する設計波長λと周期aと半径Rがブラッグ条件を満たし、 該周期aと該半径Rの比(R/a)は該フォトニック結晶周期構造が極大のフォトニックバンドギャップを有する値であり、 前記ブラッグ条件の次数mは、1<m<5の範囲にある次数mであって、FDTD法を用いたシミュレーション解析結果により設計波長λに対する光取出し効率が最大となる次数である、 該フォトニック結晶周期構造を、光取出し層に有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/22 ( 201 0.01)

FI (1)：

H01L 33/00 172

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 発光ダイオード構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-063733   Applicant：さん圓光電股ふん有限公司
• 発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-123894   Applicant：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド, エルジーイノテックカンパニーリミテッド
• 光子結晶発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-196915   Applicant：三星電機株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-280731   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-122938   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Optimization Design and Fabrication of Photonic Crystal Waveguides Based on SOI Using 248nm Deep UV