Art

J-GLOBAL ID：201602202579914342   Reference number：16A0178511

セラミックスと異種材料の接合技術 Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス

Author (1)： EGAWA TAKASHI (Nagoya Inst. of Technol.)
Material： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
Volume： 51  Issue： 2  Page： 98-100  Publication year： Feb. 01, 2016 
JST Material Number： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *dissimilar material joining ,  semiconductor device ,  power electronics ,  *HEMT ,  wafer ,  aluminum compound ,  *gallium nitride ,  improvement of efficiency ,  thick film ,  pressure resistance ,  heteroepitaxy ,  MOCVD ,  lattice constant ,  thermal expansion coefficient ,  current-voltage characteristic ,  Energy efficient technologies ,  Si wafer ,  Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride ,  modification ,  saving
Semi thesaurus term： energy saving ,  *power device ,  high electron mobility transistor ,  silicon substrate ,  AlGaN/GaN ,  efficiency upgrading

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• T. Egawa, N. Nakada, H. Ishikawa and M. Umeno, Electron. Lett., 36, 1816-1817 (2000).
• A. Dadgar, J. Bräsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys., 39, L1183-L1185 (2000).
• Y. Uemoto, T. Morita, A. Ikoshi, H. Umeda, H. Matsuo, J. Shimizu, M. Hikita, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka and D. Ueda, Technical Digest of International Electron Devices Meeting, Washington DC, 165-168 (2009).
• T. Egawa, Technical Digest of International Electron Devices Meeting, San Francisco, 613-616 (2012).
• S. L. Selvaraj, T. Suzue and T. Egawa, IEEE Electron Device Lett., 30, 587-589 (2009).

Terms in the title (7)： セラミックス ,  異種材料 ,  Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  パワーデバイス