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J-GLOBAL ID：201602216385061666   Reference number：16A0929484

ゲート電極表面形状の平滑化とDCバイアス耐性の改善

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Author (5)： KURIBARA KAZUNORI (産業技術総合研) ,  NOBESHIMA TAIKI (産業技術総合研) ,  UEMURA SEI (産業技術総合研) ,  KOZASA TAKEHITO (産業技術総合研) ,  YOSHIDA MANABU (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.16p-P7-18  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  *electrode ,  *smoothing ,  *voltage ,  *resistance (endure) ,  *vacuum deposition ,  Aluminum ,  organic semiconductor ,  surface roughness ,  mobility (ratio) ,  ring oscillator ,  *stabilization ,  morphology ,  surface structure ,  *characteristic ,  aluminium electrode ,  *transfer characteristic ,  surface morphology ,  structure
Semi thesaurus term： *organic transistor ,  *gate electrode ,  *bias voltage ,  *蒸着源 ,  surface morphology

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (1)： Dinaphthothienothiophene

Terms in the title (6)： ゲート電極 ,  表面形状 ,  平滑化 ,  DC ,  バイアス ,  耐性