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J-GLOBAL ID：201602216385061666   整理番号：16A0929484

ゲート電極表面形状の平滑化とDCバイアス耐性の改善

著者 (5件)： 栗原一徳 (産業技術総合研) ,  延島大樹 (産業技術総合研) ,  植村聖 (産業技術総合研) ,  小笹健仁 (産業技術総合研) ,  吉田学 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-P7-18  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *電極 ,  *平滑化 ,  *電圧 ,  *耐性 ,  *真空蒸着 ,  アルミニウム ,  有機半導体 ,  表面粗さ ,  移動度 ,  リング発振器 ,  *安定化 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *特性 ,  アルミニウム電極 ,  *伝達特性 ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： *有機トランジスタ ,  *ゲート電極 ,  *バイアス電圧 ,  *蒸着源 ,  表面モルフォロジー

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： DNTT

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート電極 ,  表面形状 ,  平滑化 ,  DC ,  バイアス ,  耐性