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J-GLOBAL ID：201603001516836625

表面加工方法及び構造体の製造方法

Inventor：
岩田 博之

About 岩田 博之

, 
河口 大祐

About 河口 大祐


Applicant, Patent owner：
学校法人 名古屋電気学園

About 学校法人 名古屋電気学園

, 
浜松ホトニクス株式会社

About 浜松ホトニクス株式会社


Agent (1)： 特許業務法人かいせい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014259558
Publication number (International publication number)：2016119426
Application date： Dec. 23, 2014
Publication date： Jun. 30, 2016
Summary：
【課題】耐久性が高い構造体を形成すること。【解決手段】Siウェハ200の内部にレーザ光の焦点160を合わせてレーザ光を走査して、Siウェハ200のうちレーザ光の焦点160に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部230を形成する(レーザ光照射工程)。次に、Siウェハ200に対してイオン注入を行うことにより、Siウェハ200にイオン注入層240を形成する(イオン注入工程)。この後、Siウェハ200の全体を加熱してSiウェハ200にイオン注入層240に基づくブリスタリング241を発生させることにより、ブリスタリング241を改質部230に作用させてSiウェハ200の表面210に突起構造250を形成する(加熱工程)。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
加工対象物(200)の表面(210)を加工することにより構造体(250、270)を形成する表面加工方法であって、 前記加工対象物(200)の内部にレーザ光の焦点(160)を合わせてレーザ光を走査して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部(230)を形成するレーザ光照射工程と、 前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(240)を形成するイオン注入工程と、 前記レーザ光照射工程及び前記イオン注入工程を行った後、前記加工対象物(200)の全体を加熱して前記レーザ光の焦点(160)と前記イオン注入層(240)との位置関係に基づいて前記加工対象物(200)にブリスタリング(241)を発生させ、前記ブリスタリング(241)を前記改質部(230)に作用させることにより前記構造体(250、270)を形成する加熱工程と、 を含んでいることを特徴とする表面加工方法。
IPC (5)：
H01L 21/265 ,  B23K 26/53 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/268 ,  B81C 1/00
FI (6)：
H01L21/265 602A ,  B23K26/53 ,  B23K26/00 H ,  H01L21/268 E ,  H01L21/265 Q ,  B81C1/00
F-Term (20)：
3C081AA07 ,  3C081AA17 ,  3C081BA09 ,  3C081CA17 ,  3C081CA40 ,  3C081DA03 ,  4E168AE01 ,  4E168AE03 ,  4E168AE04 ,  4E168CB03 ,  4E168CB07 ,  4E168DA02 ,  4E168DA32 ,  4E168DA45 ,  4E168JA11 ,  4E168JA12 ,  4E168JA13 ,  4E168JA14 ,  4E168JA16 ,  4E168JA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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