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J-GLOBAL ID：201603007461163438

シリコンナノ粒子発光体の製造方法およびそのシリコンナノ粒子発光体を用いた発光素子

Inventor：
徳丸 慎司

About 徳丸 慎司


Applicant, Patent owner：
新日鐵住金株式会社

About 新日鐵住金株式会社


Agent (8)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  福地 律生 ,  本田 昭雄 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015050046
Publication number (International publication number)：2016169416
Application date： Mar. 12, 2015
Publication date： Sep. 23, 2016
Summary：
【課題】それぞれの波長でより発光強度が高いシリコンナノ粒子発光体を簡易で、生産性を低下させることなく、比較的安価に製造する方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された酸化ケイ素膜中に、スパッタリングによりシリコンを分散させる工程において、ターゲットの被スパッタ粒子の基板面に対する入射方向が、基板の法線に対して10°から80°になるようにして、且つ基板温度を300°C以下にしてスパッタリングを行い、その後、非酸化雰囲気で800°Cから1350°Cで熱処理する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された酸化ケイ素膜中に、スパッタリングによりシリコンを分散させる工程において、ターゲットの被スパッタ粒子の基板面に対する入射方向が、前記基板の法線に対して10°から80°になるようにして、且つ前記基板温度を300°C以下にしてスパッタリングを行い、その後、非酸化雰囲気で800°Cから1350°Cで熱処理することを特徴とするシリコンナノ粒子発光体の製造方法。
IPC (5)：
C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/59
FI (6)：
C23C14/06 L ,  C23C14/34 R ,  C23C14/58 A ,  C09K11/08 G ,  C09K11/59 ,  C09K11/08 B
F-Term (23)：
4G072AA01 ,  4G072BB20 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN11 ,  4G072UU30 ,  4H001CC11 ,  4H001CF02 ,  4H001XA14 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BA46 ,  4K029BA64 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DC15 ,  4K029DC35 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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