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J-GLOBAL ID：201603008770562491

酸化亜鉛単結晶の製造方法

Inventor： 福田 承生 ,  吉田 茂朋 ,  猿倉 信彦 ,  清水 俊彦 ,  中里 智治
Applicant, Patent owner： 株式会社福田結晶技術研究所
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012085458
Publication number (International publication number)：2013212969
Patent number：6032590
Application date： Apr. 04, 2012
Publication date： Oct. 17, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】鏡面仕上げした種結晶を用いて、不純物をドープした酸化亜鉛結晶を育成させる酸化亜鉛結晶の製造方法において、 前記鏡面仕上げは、機械的研磨であって、 前記機械的研磨は、バフと水による研磨からなることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 7/10 ( 200 6.01) ,  C09K 11/54 ( 200 6.01) ,  C09K 11/00 ( 200 6.01) ,  G01T 1/20 ( 200 6.01) ,  G01T 1/202 ( 200 6.01)

FI (6)：

C30B 29/16 ,  C30B 7/10 ,  C09K 11/54 CPB ,  C09K 11/00 E ,  G01T 1/20 B ,  G01T 1/202

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• シンチレータ材料とその製造方法、及び、電離放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-138786   Applicant：株式会社福田結晶技術研究所
• ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-021503   Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
• 酸化亜鉛単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-069280   Applicant：株式会社福田結晶技術研究所, 東京電波株式会社, 三菱化学株式会社
• 半導体ウエーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-357982   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-102173   Applicant：富士電機株式会社
• 化合物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-009151   Applicant：住友電気工業株式会社
• シンチレータ材料、及びシンチレーション検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-151330   Applicant：株式会社大真空

Cited by examiner (2)

• シンチレータ材料とその製造方法、及び、電離放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-138786   Applicant：株式会社福田結晶技術研究所
• ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-021503   Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学