炭化珪素膜のCVD装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011120964
Publication number (International publication number)：2012248764
Patent number：5867913
Application date： May. 30, 2011
Publication date： Dec. 13, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材から離間しつつ前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材とを備え、前記加熱部材は、カーボン又はカーボンをTaCで被覆したものからなり、前記遮蔽部材は、炭化珪素をコーティングしたカーボン部材、炭化珪素単結晶または炭化珪素多結晶からなり、さらに、CVD装置の内壁から突起した載置部を備え、前記遮蔽部材の周縁部が前記載置部に載置され、前記加熱部材は、前記載置部とは異なる支持部材で支持され、前記遮蔽部材は前記CVD装置の内壁から離間して配置され、前記遮蔽部材の外周側面と前記CVD装置の内壁との水平方向の前記離間距離が1.0〜3.0mmであることを特徴とする炭化珪素膜のCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , C23C 16/44 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-339182 Applicant：パナソニック株式会社
炭化珪素半導体結晶膜形成装置および炭化珪素半導体結晶膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-115118 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
特開昭61-024228

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