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J-GLOBAL ID:201603012238719444
ポジ型レジスト組成物及びその製造方法、並びに、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターンの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
岸本 達人
, 山下 昭彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014135036
Publication number (International publication number):2016012104
Application date: Jun. 30, 2014
Publication date: Jan. 21, 2016
Summary:
【課題】パターン欠損が抑制された十数nmスケールの超微細パターンを形成可能な程、高い解像力を有するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表され、重量平均分子量(Mw)が9,500〜35,000であり、且つ数平均分子量(Mn)に対する重量平均分子量(Mw)で表される分子量分布(Mw/Mn)が1.05〜1.25である共重合体(A)、及び溶剤(B)を含有する、ポジ型レジスト組成物である。(一般式(I)における符号は、明細書に記載の通りである。)【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記一般式(I)で表され、重量平均分子量(Mw)が9,500〜35,000であり、且つ数平均分子量(Mn)に対する重量平均分子量(Mw)で表される分子量分布(Mw/Mn)が1.05〜1.25である共重合体(A)、及び溶剤(B)を含有する、ポジ型レジスト組成物。
IPC (5):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/32
, H01L 21/027
, C08F 220/12
FI (5):
G03F7/039 501
, G03F7/004 501
, G03F7/32
, H01L21/30 502R
, C08F220/12
F-Term (41):
2H125AH17
, 2H125AH21
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ74X
, 2H125AM14P
, 2H125AM23P
, 2H125AM30P
, 2H125AN10P
, 2H125AN31P
, 2H125AN32P
, 2H125AN61P
, 2H125AN84P
, 2H125CA12
, 2H125CB16
, 2H125CC03
, 2H125CC20
, 2H125CD02P
, 2H125CD08P
, 2H125CD09P
, 2H125CD12P
, 2H125CD37
, 2H125CD40
, 2H125FA05
, 2H196AA25
, 2H196AA30
, 2H196BA11
, 2H196GA03
, 2H196GA06
, 4J100AB03P
, 4J100AB08P
, 4J100AL08P
, 4J100AL24Q
, 4J100AL26Q
, 4J100BB01Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC37P
, 4J100BC43Q
, 4J100CA04
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-274195
Applicant:東京応化工業株式会社
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ポジ型感光性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-255438
Applicant:東レ株式会社
-
特開昭63-137227
-
ポジ型レジスト組成物及びパターニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-396890
Applicant:科学技術振興事業団, 井上弘, 松川公洋, 玉井聡行, 松浦幸仁
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ケイ素系ポジ型レジスト組成物及びパターニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-029567
Applicant:科学技術振興事業団, 大阪市
-
特開昭57-118240
-
特開昭51-087971
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