コンタクトホールパターンの形成方法

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012026000
Publication number (International publication number)：2013164436
Patent number：5979660
Application date： Feb. 09, 2012
Publication date： Aug. 22, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】ホールパターンが形成された薄膜を表面に有する基板に対して、前記薄膜を被覆するように、複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を形成するブロックコポリマー層形成工程と、前記ブロックコポリマー層形成工程後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる相分離工程と、前記相分離工程後、前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する選択的除去工程と、を有し、前記薄膜が、感光性又は非感光性の有機膜又は無機膜であり、前記薄膜に形成されているホールパターンのホール径が、前記ブロックコポリマーの周期の0.8〜2.12倍であり、前記ブロックコポリマー層形成工程において、前記薄膜の上面から前記ブロックコポリマーを含む層の表面までの厚みを、前記薄膜の膜厚の60%以下にすることを特徴とする、コンタクトホールパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/40 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01) , C08J 7/00 ( 200 6.01) , B82Y 40/00 ( 201 1.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (7)：

G03F 7/40 521 , H01L 21/30 570 , C08J 7/00 306 , C08J 7/00 CET , C08J 7/00 CEY , B82Y 40/00 , H01L 21/302 105 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-102303 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
等しい優先性で両ブロックを湿潤にするために、制約を受ける上部界面を有するブロック共重合体膜の熱アニーリング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-500852 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-085982 Applicant：株式会社東芝

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