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J-GLOBAL ID：201603021050788928

マンガン酸化物、マンガン酸化物を備える強誘電体メモリ素子、および強誘電体メモリ装置

Inventor： 酒井 英明 ,  田口 康二郎 ,  十倉 好紀
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人理化学研究所
Agent (1)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011157084
Publication number (International publication number)：2013026286
Patent number：5846571
Application date： Jul. 15, 2011
Publication date： Feb. 04, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ペロブスカイト構造を有する、下記式(1) Sr1-xBaxMnO3(1>x>0.4)・・・(1) で表されるマンガン酸化物。

IPC (2)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 27/10 444 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-340591   Applicant：松下電器産業株式会社
• 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-310267   Applicant：株式会社村田製作所
• 圧電薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-211456   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-247089   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-189988
  
• マルチフェロイックス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-295587   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構