半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006247089
Publication number (International publication number)：2008071825
Application date： Sep. 12, 2006
Publication date： Mar. 27, 2008
Summary：

【課題】強誘電体膜の配向を好ましい方向に制御することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極膜を構成するPt膜23上に、La、Ca、Sr、Si及び/又はNb等が添加されたアモルファス状の不純物添加PZT膜24を形成する。次いで、不純物添加PZT膜24に対する結晶化アニールを行う。次に、不純物添加PZT膜24上にPZT膜25をMOCVD法により形成する。その後、PZT膜25上に、IrOX膜26、IrOY膜27及びIr膜28を形成する。【選択図】図1N

Claim (excerpt)：

基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、構造がABO3型の結晶からなり、不純物が添加された不純物添加強誘電体膜と、前記不純物添加強誘電体膜上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (1)：

H01L27/10 444B

F-Term (25)：

5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083MA04 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR07 , 5F083PR25 , 5F083PR34 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

米国特許第6287637号明細書
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-230046 Applicant：富士通株式会社
米国特許第6617626号明細書

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Cited by examiner (9)

強誘電体メモリ集積回路用の強誘電体キャパシタ素子の製造方法及び強誘電体キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-385106 Applicant：富士通株式会社
電子装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279819 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-252974 Applicant：富士通株式会社

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