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J-GLOBAL ID：201702219099398297   Reference number：17A0214167

First-principles simulations of 2-D semiconductor devices: Mobility, I-V characteristics, and contact resistance

二次元半導体素子の第一原理シミュレーション:移動度,I-V特性および接触抵抗【Powered by NICT】

Author (7)： Luisier M. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Szabo A. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Stieger C. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Klinkert C. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Bruck S. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Jain A. (Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland) ,  Novotny L. (Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： IEDM  Page： 5.4.1-5.4.4  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We report in this paper ab-ini...

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Thesaurus term： black phosphorus ,  *mobility (ratio) ,  phonon ,  *semiconductor ,  *semiconductor device ,  *current-voltage characteristic ,  *first principle ,  *contact resistance ,  chalcogenide ,  *simulation ,  positive hole ,  *two dimension ,  phonon scattering ,  2D crystal ,  transport simulation

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (6)： 半導体素子 ,  第一原理 ,  シミュレーション ,  移動度 ,  I-V特性 ,  接触抵抗