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J-GLOBAL ID：201702227814713563   Reference number：17A0953246

Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS devices

シリコンオンインシュレータMOSデバイスの時間領域電荷ポンピング

Author (6)： WATANABE Tokinobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  WATANABE Tokinobu (Univ. Toyama, Toyama, JPN) ,  HORI Masahiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  FUJIWARA Akira (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  ONO Yukinori (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 1  Page： 011303.1-011303.5  Publication year： Jan. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SOI structure ,  semiconductor process ,  *MOSFET ,  *excitation (physics) ,  electric charge ,  device structure ,  variable capacitance diode ,  defect ,  interface (surface) ,  bias ,  gate (semiconductor) ,  electron ,  capture ,  current-voltage characteristic ,  p-i-n device structure ,  electron trap
Semi thesaurus term： silicon-on-insulator ,  charge pumping ,  interface defect ,  gate bias

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (39)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• A. B. M. Elliot, Solid-State Electron. 19, 241 (1976).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• U. Cilingiroglu, IEEE Trans. Electron Devices 37, 267 (1990).
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1820 (1991).

Terms in the title (4)： シリコンオンインシュレータ ,  MOSデバイス ,  時間領域 ,  電荷ポンピング