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J-GLOBAL ID：201702252131097807   Reference number：17A1810876

Memory reliability of spintronic materials and devices for disaster-resilient computing against radiation-induced bit flips on the ground

地上での放射線誘起ビット反転に対する耐災害コンピューティング用のスピントロニクス材料とデバイスのメモリ信頼性

Author (6)： HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO Taichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 8  Page： 0802A5.1-0802A5.4  Publication year： Aug. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： land (surface of earth) ,  *spintronics ,  material ,  *memory (computer) ,  *reliability (property) ,  alpha particle ,  thermal neutron ,  fast neutron ,  *tunnel junction ,  unit ,  *soft error ,  frequency (statistics) ,  shock (mechanics) ,  risk ,  *magnetic tunnel junction
Semi thesaurus term： FIT ,  *memory device ,  fast neutron ,  ground

JST classification (3)： Memory units  (JC04060F) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Reference (18)：

• S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nat. Mater. 9, 721 (2010).
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Terms in the title (7)： 地上 ,  放射線 ,  誘起 ,  ビット反転 ,  災害 ,  コンピューティング ,  スピントロニクス