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J-GLOBAL ID：201702252213497998   Reference number：17A0953453

Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

電荷ポンピング電気的検出磁気共鳴の改善およびシリコン金属酸化物-半導体電界効果トランジスタへの応用

Author (3)： HORI Masahiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  ONO Yukinori (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 10  Issue： 1  Page： 015701.1-015701.4  Publication year： Jan. 2017 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *excitation (physics) ,  *magnetic resonance ,  silicon ,  metal oxide ,  *MOSFET ,  automatic monitoring ,  HF ,  electric current ,  signal amplification ,  treatment ,  defect ,  spin ,  detection limit ,  spectroscopy ,  control ,  gate control
Semi thesaurus term： *charge pumping ,  silicon ,  *metal oxide semiconductor field effect transistor ,  real time monitoring ,  high frequency ,  transient current ,  cutoff ,  interface defect ,  spectroscopy

JST classification (2)： Magnetic resonance,electron spectroscopy,other atomic spectra  (BH03050U) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (33)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• N. S. Saks and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 11, 339 (1990).
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1820 (1991).
• M. G. Ancona and N. S. Saks, J. Appl. Phys. 71, 4415 (1992).

Terms in the title (6)： 電荷ポンピング ,  磁気共鳴 ,  シリコン ,  金属酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  応用