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J-GLOBAL ID：201702270492949935   Reference number：17A1223582

N-face GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) films with hillock-free smooth surfaces grown by group-III-source flow-rate modulation epitaxy

III族原料流量変調エピタクシーにより育成したヒロックのない滑らかな表面をもつN面GaN(000-1)膜

Author (3)： LIN Chia-Hung (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKASAKA Tetsuya (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Hideki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 4S  Page： 04EJ01.1-04EJ01.4  Publication year： Apr. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *thin film growth ,  *smooth surface ,  *epitaxy ,  *flow control (process) ,  raw material ,  steppe ,  surface terrace ,  Carbon ,  content (quantity) ,  light emission ,  *photoluminescence ,  compound semiconductor ,  blue light ,  yellow light ,  carbon content
Semi thesaurus term： *epitaxial growth ,  hillock ,  carbon content ,  *smooth surface

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (30)：

• Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• A. G. Bhuiyan, K. Suva, K Kasashima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and V. Y. Davydov, Appl. Phys. Lett. 83, 4788 (2003).
• K. Cheng, M. Leys, J. Derluyn, K. Balachander, S. Degroote, M. Germain, and G. Borghs, Phys. Status Solidi C 5, 1600 (2008)
• R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J. R. Shealy, L F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000).

Terms in the title (7)： III族 ,  原料 ,  流量 ,  変調 ,  エピタクシー ,  ヒロック ,  GaN