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J-GLOBAL ID：201702286154547555   Reference number：17A1220849

Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

プラズマ増強化学気相成長によるSi基板上の窒素ドープダイヤモンド状カーボン膜の構造,電気特性,および電流-電圧特性

Author (12)： TSUCHIYA Masato (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  MURAKAMI Kazuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  MAGARA Kohei (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAMURA Kazuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OHASHI Haruka (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TOKUDA Kengo (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKAMI Takahiro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OGASAWARA Haruka (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ENTA Yoshiharu (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  SUZUKI Yushi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ANDO Satoshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 6  Page： 065502.1-065502.6  Publication year： Jun. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *plasma CVD ,  wafer ,  *doping ,  *diamond-like carbon ,  *thin film ,  *structural property ,  *electrical property ,  *mechanical property ,  *optical property ,  *heterojunction ,  current-voltage characteristic ,  ratio ,  electrical resistivity ,  internal stress ,  clustering ,  flow ratio ,  Si wafer ,  *nitrogen doping ,  *property ,  modification
Semi thesaurus term： *plasma-enhanced chemical vapor deposition ,  silicon substrate ,  *nitrogen doping ,  *diamond-like carbon ,  *electrical property ,  *mechanical property ,  *optical property ,  resistivity ,  rectification ratio

JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of nonmetallic elements and its compounds  (BK07010N) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Reference (36)：

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• P. Paredez, M. E. H. Maia da Costa, L. F. Zagonel, C. T. M. Ribero, and F. Alvarez, Carbon 45, 2678 (2007).
• H. Sj?str?m, S. Stafstr?m, M. Boman, and J.-E. Sundgren, Phys. Rev. Lett. 75, 1336 (1995).
• H. Ito, K. Hori, and H. Saitoh, J. Non-Cryst. Solids 352, 1 (2006).
• K. Kato, N. Umehara, and K. Adachi, Wear 254, 1062 (2003).

Terms in the title (8)： プラズマ ,  増強 ,  化学気相成長 ,  Si基板 ,  窒素ドープ ,  ダイヤモンド状カーボン ,  電気特性 ,  電圧特性