半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016099208
Publication number (International publication number)：2017208427
Application date： May. 18, 2016
Publication date： Nov. 24, 2017
Summary：

【課題】p型不純物をドープしたGaNを例えば1400°Cから1500°Cの温度でアニールする場合には、1GPaから1.45GPa(即ち、10000barから14500bar)程度の高圧力を発生させる大掛かりな装置が必要となる。このような高圧力は、半導体装置のアニールにおいて現実的ではない。【解決手段】化合物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、おもて面の少なくとも一部に不純物がドープされた化合物半導体層のおもて面上に保護膜を設ける段階と、熱処理する段階の最高温度における化合物半導体層の分解抑制圧力よりも上限値が低く、下限値が5MPa以上である圧力条件下において、化合物半導体層を熱処理する段階とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

化合物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、おもて面の少なくとも一部に不純物がドープされた前記化合物半導体層の前記おもて面上に保護膜を設ける段階と、熱処理する段階の最高温度における前記化合物半導体層の分解抑制圧力よりも上限値が低く、下限値が5MPa以上である圧力条件下において、前記化合物半導体層を熱処理する段階とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12

FI (5)：

H01L21/265 601A , H01L29/78 658A , H01L29/78 652T , H01L29/78 652D , H01L29/78 658E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-502188 Applicant：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-175957 Applicant：富士電機株式会社
連続注入および熱処理によってGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行うための方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-187787 Applicant：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブ

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