テラヘルツ帯光素子導波路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 加藤恭介
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013085435
Publication number (International publication number)：2014207399
Patent number：6124293
Application date： Apr. 16, 2013
Publication date： Oct. 30, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板に積層された半導体化合物からなる活性層をテラヘルツ帯電磁波の導波路とするテラヘルツ帯光素子導波路であって、前記導波路となる活性層は、該活性層の積層方向に沿って分割され、且つ、前記導波路の延設方向に沿って分割された複数の活性層からなり、前記分割された各活性層は、前記テラヘルツ帯電磁波の波長に対応する導波幅を有し、前記複数の活性層の分割境界に設けた間隙に前記活性層の半導体化合物よりも熱伝導率の高い物質を埋設した放熱層を備え、前記放熱層は、前記テラヘルツ帯電磁波の波長の1/10以下の幅を有し、前記テラヘルツ帯電磁波が伝搬するときに前記分割された各活性層が発生した熱を吸収して、前記基板に積層された金属部位へ放熱するように該放熱層の端部が前記金属部位と接している、ことを特徴とするテラヘルツ帯光素子導波路。

IPC (2)：

H01S 5/20 ( 200 6.01) , H01S 5/30 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/20 , H01S 5/30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

テラヘルツ放射の発生方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-553644 Applicant：プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-141240 Applicant：松下電器産業株式会社
テラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-138572 Applicant：木村光照

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Cited by examiner (5)

テラヘルツ放射の発生方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-553644 Applicant：プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ
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テラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置
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