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J-GLOBAL ID：201703002156658503

基体、発光素子および基体の製造方法

Inventor：
西中 浩之

About 西中 浩之

, 
吉本 昌広

About 吉本 昌広


Applicant, Patent owner：
国立大学法人京都工芸繊維大学

About 国立大学法人京都工芸繊維大学


Agent (2)： 幸丸 正樹 ,  龍竹 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015221683
Publication number (International publication number)：2017088454
Application date： Nov. 11, 2015
Publication date： May. 25, 2017
Summary：
【課題】特性と信頼性の高い発光素子またはその他半導体素子を実現することができる基体を提供する。【解決手段】基体は、サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成され、ガリウム、鉄、クロム、アルミニウム、インジウムのうちの少なくとも1つを含む菱面体晶構造を有する酸化物からなる緩衝層2と、緩衝層2の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層3と、を備える。サファイア基板1は、結晶方位がc面、r面、a面およびm面のうちのいずれか1つである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
サファイア基板と、 前記サファイア基板上に形成され、ガリウム、鉄、クロム、アルミニウム、インジウムのうちの少なくとも1つを含む菱面体晶構造を有する酸化物からなる緩衝層と、 前記緩衝層の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層と、を備える、 基体。
IPC (7)：
C30B 29/22 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  H01L 33/42 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/22
FI (7)：
C30B29/22 Z ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L33/00 222 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 172
F-Term (29)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BC60 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA06 ,  4K030BA07 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB13 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F241AA43 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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