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J-GLOBAL ID:201703003958288023
成膜装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柳 康樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016046649
Publication number (International publication number):2017025407
Application date: Mar. 10, 2016
Publication date: Feb. 02, 2017
Summary:
【課題】成膜対象物に大気中の酸素が付着することによる膜質の低下を抑制することができる成膜装置の提供。【解決手段】成膜対象物11に成膜材料Maを成膜する成膜装置1であって、成膜対象物11を収納し成膜処理を行う真空チャンバー10と、真空チャンバー10内において成膜材料粒子Mbを成膜対象物11に付着させる成膜部14と、真空チャンバー10内に酸素負イオンを生成する負イオン生成部24とを備え、負イオン生成部24により生成された酸素負イオンを、成膜処理によって成膜対象物11に形成された膜の表面に付着させる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
成膜対象物に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
前記成膜対象物を収納し成膜処理を行う真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内において前記成膜材料の粒子を前記成膜対象物に付着させる成膜部と、
前記真空チャンバー内に負イオンを生成する負イオン生成部と、を備える、成膜装置。
IPC (3):
C23C 14/32
, C23C 14/50
, C23C 14/54
FI (3):
C23C14/32 B
, C23C14/50 D
, C23C14/54 B
F-Term (15):
4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BA46
, 4K029BA49
, 4K029CA03
, 4K029CA13
, 4K029DA04
, 4K029DB05
, 4K029DD05
, 4K029EA06
, 4K029GA02
, 4K029JA01
, 4K029KA01
, 4K029KA03
, 4K029KA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-094125
Applicant:日本電子株式会社
-
蒸着装置におけるるつぼ部機構
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-073757
Applicant:中外炉工業株式会社
-
特開昭50-149591
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薄膜形成装置および薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-303023
Applicant:株式会社リコー
-
イオン発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-231258
Applicant:日新電機株式会社
-
特開平4-017669
-
圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-320069
Applicant:大日本印刷株式会社
-
導体の形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-076672
Applicant:住友重機械工業株式会社
-
イオンプレーティング方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-261842
Applicant:住友重機械工業株式会社
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