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J-GLOBAL ID：201703005434654157

摩擦抵抗低減方法、摩擦抵抗を低減した構造物、及び摩擦抵抗低減用の電極形成方法

Inventor：
拾井 隆道

About 拾井 隆道

, 
川島 英幹

About 川島 英幹


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人 海上・港湾・航空技術研究所

About 国立研究開発法人 海上・港湾・航空技術研究所


Agent (4)： 阿部 伸一 ,  清水 善廣 ,  辻田 幸史 ,  金子 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015229174
Publication number (International publication number)：2017096402
Application date： Nov. 24, 2015
Publication date： Jun. 01, 2017
Summary：
【課題】乱流境界層のなかでも、例えば船体の表面近くの領域である粘性底層とバッファー域に直接作用することにより、局所的に高いボイド率あるいは粒子の体積濃度を実現し、乱流を抑制し、船体等の対象物(構造物)の摩擦抵抗を低減させる摩擦抵抗低減方法、摩擦抵抗を低減した構造物、及び摩擦抵抗低減用の電極形成方法を提供すること。【解決手段】流体Xによる摩擦抵抗の低減を図る対象物11の表面に電極20を形成し、電極20に電力を印加することによる電気分解作用により発生する粒子及び/又は気泡を乱流境界層の内部の壁面である対象物11の表面から作用させることによって、対象物11の流体Xによる摩擦抵抗を低減する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
流体による摩擦抵抗の低減を図る対象物の表面に電極を形成し、前記電極に電力を印加することによる電気分解作用により発生する粒子及び/又は気泡を乱流境界層の内部の壁面である前記対象物の前記表面から作用させることによって、前記対象物の前記流体による摩擦抵抗を低減する摩擦抵抗低減方法。
IPC (6)：
F15D 1/12 ,  B63B 1/38 ,  B63H 1/26 ,  B63H 1/28 ,  F16L 55/00 ,  F17D 1/00
FI (6)：
F15D1/12 ,  B63B1/38 ,  B63H1/26 D ,  B63H1/28 Z ,  F16L55/00 G ,  F17D1/00
F-Term (6)：
3H025BA25 ,  3J071AA12 ,  3J071CC05 ,  3J071DD01 ,  3J071FF12 ,  3J071FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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