Pat

J-GLOBAL ID：201703007305651810

スピン電子メモリ、情報記録方法及び情報再生方法

Inventor： 富永 淳二
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015547678
Patent number：6124320
Application date： Sep. 19, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 少なくとも、一対の電極と、 SbTe、Sb2Te3、BiTe、Bi2Te3、BiSe及びBi2Se3のいずれかを主成分として形成され、厚みが2nm以上10nm以下である第1の合金層と、下記一般式(1)で表される合金を主成分として形成される第2の合金層とを積層させて形成され、前記電極間に配される記録層と、磁性材料で形成され、前記磁性材料が磁化された状態で前記記録層にスピンを注入するスピン注入層とを有し、前記記録層がnを少なくとも2以上の整数として、n層積層されるスピン電子メモリと、 前記記録層に対し、前記記録層の一層ごとにスピンを飽和状態で蓄積させるのに必要な電圧値としてn段階の大きさに段階分けされた電圧値で電圧を加える電圧印加部と、 を有することを特徴とする情報記録装置。 ただし、前記式(1)中、Mは、Ge、Al及びSiのいずれかの原子を示し、xは、0.5以上1未満の数値を示す。

IPC (4)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  G11C 11/15 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 27/10 447 ,  H01L 29/82 Z ,  G11C 11/15 112 ,  G11C 11/15 140 ,  G11C 11/15 150

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-218828   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 特許第5750791号
  
• 結晶性化合物及びこれを用いた可変抵抗素子並びに電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-187161   Applicant：エルピーダメモリ株式会社
• 磁気メモリセル及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-297855   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-218828   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 特許第5750791号
  
• 結晶性化合物及びこれを用いた可変抵抗素子並びに電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-187161   Applicant：エルピーダメモリ株式会社
• 磁気メモリセル及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-297855   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• GeTe/Sb2Te3超格子相変化メモリに現れるトポロジカル絶縁性とスピントロニクスへの展開

Cited by examiner (1)

• GeTe/Sb2Te3超格子相変化メモリに現れるトポロジカル絶縁性とスピントロニクスへの展開