光デバイス及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：池田憲保 , 福田修一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010156436
Publication number (International publication number)：2011142294
Application date： Jul. 09, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：

【課題】光デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の一部を露出する、少なくとも1のアスペクト比をそれぞれ有する2つ以上の開口を含む誘電材料と、前記基板と格子不整合の化合物半導体材料を含み、前記化合物半導体材料が2つ以上の開口を占有し、前記2つ以上の開口の上に接合され、下ダイオード領域を形成する下ダイオード材料と、上ダイオード材料と、前記上及び下ダイオード材料の間に設けられた活性ダイオード領域を有する光デバイス。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の一部を露出する、少なくとも1のアスペクト比をそれぞれ有する2つ以上の開口を含む誘電材料と、前記基板と格子不整合の化合物半導体材料を含み、前記化合物半導体材料が2つ以上の開口を占有し、前記2つ以上の開口の上に接合され、下ダイオード領域を形成する下ダイオード材料と、上ダイオード材料と、前記上ダイオード材料と下ダイオード材料の間に設けられた活性ダイオード領域を有する光デバイス。

IPC (2)：

H01L 33/12 , H01L 31/04

FI (2)：

H01L33/00 140 , H01L31/04 E

F-Term (17)：

5F041CA04 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA71 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F041CA86 , 5F041CB29 , 5F151AA08 , 5F151AA09 , 5F151DA04 , 5F151DA13 , 5F151GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-352369 Applicant：ローム株式会社
半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-045943 Applicant：住友化学株式会社
特開昭62-188386

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