半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：加藤久 , 遠坂啓太 , 森博 , 南瀬透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016109253
Publication number (International publication number)：2017216363
Application date： May. 31, 2016
Publication date： Dec. 07, 2017
Summary：

【課題】高耐圧化と低抵抗化とを図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ショットキーバリアダイオード100は、シリコン基板101の厚み方向F1の両側に配置された金属電極104bおよびカソード電極105と、シリコン基板101の厚み方向F1に沿って形成された絶縁膜107と、絶縁膜107に沿って形成され、非導通状態のときにシリコン基板101における正孔が誘引される金属電極104bと同極性となる半導体電極104aとを備えている。このショットキーバリアダイオード100は、シリコン基板101と絶縁膜107との界面が凹凸面S1をなしている。この構造により、非導通状態のシリコン基板101の電界分布が厚み方向F1に向かって強度が一定となる方向に変化する。従って、シリコン基板101と絶縁膜107の界面が平坦なものと比較してシリコン基板101を薄くできる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層の厚み方向の両側に配置された第1電極および第2電極と、前記半導体層の厚み方向に沿って前記半導体層に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に沿って形成され、非導通状態のときに前記半導体層における少数キャリアが誘引される前記第1電極と同極性となる第3電極とを備えた縦型の半導体装置であって、前記半導体層と前記絶縁膜との界面が凹凸面をなす半導体装置。

IPC (11)：

H01L 29/872 , H01L 21/329 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/06 , H01L 29/47 , H01L 21/28

FI (14)：

H01L29/86 301F , H01L29/86 301P , H01L29/91 C , H01L29/78 653A , H01L29/78 655F , H01L29/78 652T , H01L29/78 658G , H01L29/06 301V , H01L29/06 301M , H01L29/48 F , H01L21/28 301A , H01L29/78 652H , H01L29/78 652M , H01L29/48 P

F-Term (18)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG15 , 4M104GG18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-286204 Applicant：新電元工業株式会社
テーパ付けされた酸化物の堆積/エッチング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2015-524304 Applicant：パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
多勾配ドレインドーピング特性を持つ高電圧縦型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-143994 Applicant：パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド

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