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J-GLOBAL ID：201703008520050980

圧電素子、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置

Inventor： 久保田 純 ,  三浦 薫 ,  薮田 久人 ,  渡邉 隆之 ,  林 潤平 ,  舟窪 浩 ,  安井 伸太郎 ,  及川 貴弘 ,  長田 潤一 ,  内田 寛
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  学校法人上智学院
Agent (9)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  田中 尚文
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013035931
Publication number (International publication number)：2013211539
Patent number：6176942
Application date： Feb. 26, 2013
Publication date： Oct. 10, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 圧電体膜と、該圧電体膜に接して設けられた一対の電極とをSiO2層を備えたシリコン基板上に有する圧電素子であって、前記圧電体膜は下記一般式(1): (式中、AはBi元素、またはBi元素と3価の金属元素から選択される少なくとも1種以上の他の元素との組合せを表し、MはFe、Al、Sc、Mn、Y、Ga、Ybのうちの少なくともFeまたはAlの元素を表し、0.9≦x≦1.25、0.4≦j≦0.6、0.4≦k≦0.6、0.09≦l≦0.49、0.19≦m≦0.64、0.13≦n≦0.55、l+m+n=1である) で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を主成分としており、前記ペロブスカイト型金属酸化物は膜厚方向に擬似立方晶表記で(111)一軸配向しており、前記一対の電極のうち基板側に位置する下部電極は基板と接した第一の電極層と圧電体膜と接した第二の電極層を少なくとも有する多層電極であり、前記第二の電極層は膜厚方向に擬似立方晶表記で(111)一軸配向したペロブスカイト型金属酸化物電極であることを特徴とする圧電素子。

IPC (2)：

H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-206439   Applicant：国立大学法人東京工業大学, キヤノンオプトロン株式会社
• 半導体基板上の積層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-066393   Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学
• 誘電体素子、圧電体素子、インクジェットヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001364   Applicant：キヤノン株式会社, 舟窪浩

Cited by examiner (3)

• ぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-206439   Applicant：国立大学法人東京工業大学, キヤノンオプトロン株式会社
• 半導体基板上の積層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-066393   Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学
• 誘電体素子、圧電体素子、インクジェットヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001364   Applicant：キヤノン株式会社, 舟窪浩