Ge系光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：土井健二 , 林恒徳 , 眞鍋潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015122817
Publication number (International publication number)：2017011020
Application date： Jun. 18, 2015
Publication date： Jan. 12, 2017
Summary：

【課題】Ge系光素子及びその製造方法に関し、Ge系半導体層の高を低くして、Siフォトニクスのプロセスのインテグレーションを容易にする。【解決手段】単結晶シリコン基板上に設けられた酸化膜に開口部を形成し、この開口部に酸化膜の頂面から500nm以下の高さでその頂面が突出するGeを含むIV族半導体層を形成し、このGeを含むIV族半導体層の表面側に第導電型領域及び第2導電型領域を形成してラテラル構造のpin接合を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板上に設けられた酸化膜と、前記酸化膜上に設けられた単結晶シリコン薄膜と、前記酸化膜及び前記単結晶シリコン薄膜に設けられた前記単結晶シリコン基板の表面に達する開口部と、前記開口部に設けられ、前記酸化膜の頂面から500nm以下の高さでその頂面が突出するGeを含むIV族半導体層と、前記Geを含むIV族半導体層の表面側に設けられた第1導電型領域と、前記Geを含むIV族半導体層の表面側であって、前記第1導電型領域と離れた領域に設けられた前記第1導電型と反対導電型の第2導電型領域を有し、前記第1導電型領域/前記Geを含むIV族半導体層の表面部/前記第2導電型領域により前記単結晶シリコン基板の主表面と水平な方向にpin構造を形成することを特徴とするGe系光素子。

IPC (3)：

H01L 31/10 , G02B 6/12 , G02F 1/025

FI (4)：

H01L31/10 A , G02B6/12 301 , G02B6/12 361 , G02F1/025

F-Term (34)：

2H147AB02 , 2H147AB05 , 2H147AB10 , 2H147AC01 , 2H147BB02 , 2H147DA08 , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147FA03 , 2H147FA05 , 2H147FA13 , 2H147FC03 , 2K102AA20 , 2K102BA02 , 2K102BA11 , 2K102BB01 , 2K102BC04 , 2K102BD01 , 2K102CA20 , 2K102DA04 , 2K102DD03 , 2K102EA02 , 2K102EA12 , 2K102EB22 , 2K102EB28 , 5F849AA04 , 5F849AB02 , 5F849BB01 , 5F849CB10 , 5F849DA06 , 5F849GA04 , 5F849XB19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

センサ、方法、および半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-066291 Applicant：台湾積體電路製造股ふん有限公司
アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-250945 Applicant：日本電信電話株式会社
受光素子、これを用いた光受信器および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-386871 Applicant：住友電気工業株式会社

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