半導体光増幅器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田伸一 , 加藤恭介 , 水崎慎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016026949
Publication number (International publication number)：2017147297
Application date： Feb. 16, 2016
Publication date： Aug. 24, 2017
Summary：

【課題】量子ドット形成において発生する歪エネルギーの蓄積に伴って起こる結晶品質の劣化を避け、高度な制御を用いずに高い結晶品質を維持でき、かつ再現性のよい製造方法で実現できる半導体光増幅器を実現する。【解決手段】量子ドットのアスペクト比をなるべく等方的にして、TM偏光の利得を得る。また、近接積層させず、通常の中間層を介した積層として歪の蓄積を回避する。偏光無依存化のために、2個以上に区切って個別に電流注入できる電極構造とする。通常は、TE偏光が支配的な利得を受ける。しかし、低い注入電流では、TE偏光の光吸収が優先的なので、最終的利得は、素子分離の仕方や注入電流でバランスさせて偏光無依存にすることができる。近接積層効果は、TE偏光の長波長化が10%以下となるようにする。また、量子ドットのアスペクト比は1対1から1対20までとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

量子ドット構造の半導体光増幅器であって、上記半導体光増幅器の光路上に、利得領域と偏波調整領域とを有し、上記利得領域と偏波調整領域とは、共通の量子ドット構造であり、上記利得領域の電極と偏波調整領域の電極は各々所定の電源に接続され、上記電極は互いに分離されて、その各々の電極には独立な電圧印可が可能であり、上記利得領域は、TE偏光の光利得とともにTM偏光に対する利得を有するものであり、上記利得領域の電極に印加する電圧は、TM偏光に対する光増幅利得が得られる電圧で、上記偏波調整領域の電極に印加する電圧は、TE偏光に対する損失が起こる電圧であり、上記電源は、上記利得領域におけるTE偏光の利得とTM偏光の利得とにおける利得デシベル差を上記偏波調整領域におけるTM偏光の損失とTE偏光の損失とにおける損失デシベル差で相殺可能となる、上記利得領域の電極へ印加する電圧と上記偏波調整領域の電極へ印加する電圧との組み合わせを供給できるものであることを特徴とする半導体光増幅器。

IPC (1)：

H01S 5/50

FI (1)：

H01S5/50 610

F-Term (5)：

5F173AF09 , 5F173AH03 , 5F173AR81 , 5F173AR93 , 5F173AS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

量子ドット半導体光増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-116932 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
量子光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-273178 Applicant：富士通株式会社
レーザ増幅器とそのようなレーザ増幅器を有する光学システム、およびそのようなレーザ増幅器の製造法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-533246 Applicant：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン(パブル)

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