大気プラズマジェットの生成方法及び大気プラズマミニトーチ装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)： ▲吉▼川俊雄 , 市川寛奈
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016529887
Publication number (International publication number)：2017504928
Application date： Nov. 14, 2014
Publication date： Feb. 09, 2017
Summary：

大気圧、低温条件でプラズマを生成するための方法及び装置が、本明細書中に説明される。説明に係るプラズマ生成のための装置は、第1の対の電極であって、その対の各々が、誘電層により分離され、かつガスが中を通って流れる管状ダクトに対して外部に位置付けられた、第1の対の電極、及び第2の対の電極であって、この場合も、その対の各々が、誘電層により分離され、かつ同ガスが流れ方向に関して第1の対の下流に中を通って流れる管状ダクトに対して外部に位置付けられた第2の対の電極を備える。高周波数励起が第1の対の電極に印加される一方、「無線周波数」励起が第2の対の電極に印加される。このように生成されたプラズマは、移送ダクトの出口でガス流から出現する。高周波数励起はパルス列に印加され得、「無線周波数」発生器は、被処理基板に対する熱負荷を制限するためにパルス列中で実質上能動化される。化学前駆体及び試薬が、ガス用の管状ダクトと同軸の中央移送ダクトにより、蒸気またはエアロゾルとしてプラズマに添加され得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

大気プラズマジェットを生成するための方法であって: 大気圧で、入口部及び出口部(207、410)を有する誘電材料製の管状ダクト(201、401、501)を通して流れ方向(202、402、502)に前進するプロセスガスを流すこと; 第1の対の同軸電極(203〜204、307〜308、404〜405、503〜504)及び第2の対の同軸電極(205〜206、309〜310、406〜407、505〜506)を、前記管状ダクト(201、401、501)の外表面と接触して位置付けること;前記第1の対の電極(203〜204、307〜308、404〜405、503〜504)は、前記管状ダクト(202、402、502)中の前記プロセスガスの前記流れ方向に関して前記第2の対の電極(205〜206、309〜310、406〜407、505〜506)の上流適所に配置され、かつ高周波数発生器(208、301)に接続され;前記第2の対の電極(205〜206、309〜310、406〜407、505〜506)は、「無線周波数」発生器(209、303)に接続される; 前記高周波数発生器(208、301)は、前記管状ダクト(201、401、501)内にフィラメントプラズマを生成し、該フィラメントプラズマは、少なくとも前記第2の対の電極(205〜206、309〜310、406〜407、505〜506)に延在する; 前記「無線周波数」発生器(209、303)は、第2のRFプラズマを生成する;及び前記RFプラズマ及び前記フィラメントプラズマを、前記出口部(207、410)を通して前記管状ダクト(201、401、501)の外部へ流し出すこと、前記出口での該プラズマは、前記出口で約100°C以下の温度を有する少なくとも1つの中性ガスを含む、を含む、方法。

IPC (3)：

H05H 1/26 , C23C 16/513 , B01J 19/08

FI (3)：

H05H1/26 , C23C16/513 , B01J19/08 E

F-Term (76)：

2G084AA03 , 2G084AA05 , 2G084AA07 , 2G084AA13 , 2G084AA25 , 2G084AA26 , 2G084BB01 , 2G084BB02 , 2G084BB03 , 2G084BB06 , 2G084BB07 , 2G084BB11 , 2G084BB22 , 2G084BB23 , 2G084BB36 , 2G084CC03 , 2G084CC04 , 2G084CC05 , 2G084CC07 , 2G084CC08 , 2G084CC09 , 2G084CC19 , 2G084CC34 , 2G084DD01 , 2G084DD12 , 2G084DD13 , 2G084DD25 , 2G084DD35 , 2G084DD55 , 2G084DD66 , 2G084EE16 , 2G084EE17 , 2G084EE24 , 2G084FF01 , 2G084FF14 , 2G084FF23 , 2G084FF39 , 2G084GG02 , 2G084GG03 , 2G084GG04 , 2G084GG12 , 2G084GG14 , 2G084GG23 , 2G084GG24 , 2G084GG29 , 2G084HH05 , 2G084HH55 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA06 , 4G075BB10 , 4G075BC04 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB43 , 4G075EC06 , 4G075EC21 , 4G075FB04 , 4G075FB06 , 4G075FB12 , 4G075FC15 , 4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 4K030KA16 , 4K030KA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-193415 Applicant：松下電工株式会社
表面処理装置及び表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-386075 Applicant：松下電工株式会社
プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-074871 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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