傾斜機能膜およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人創成国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012207174
Publication number (International publication number)：2014063597
Patent number：6120349
Application date： Sep. 20, 2012
Publication date： Apr. 10, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】錫添加酸化インジウム(ITO)を主成分とし、下地層と、当該下地層に重なる複数の層と、により構成されている傾斜機能膜であって、前記下地層が、バナジウム(V)の原子数比V/(In+Sn+V)が0である一方でスズ(Sn)の原子数比Sn/(In+Sn+V)が正値である第1の値であるエピタキシャル成長した層であり、前記複数の層が、バナジウム(V)の原子数比V/(In+Sn+V)が一定の正値である第2の値であり、前記下地層から遠くなる方向についてスズ(Sn)の原子数比Sn/(In+Sn+V)が前記第1の値よりも小さい正値から徐々に減少する、前記下地層に連続してエピタキシャル成長した第1層群と、スズ(Sn)の原子数比Sn/(In+Sn+V)が0であり、前記下地層から遠くなる方向についてバナジウム(V)の原子数比V/(In+Sn+V)が前記第2の値から徐々に増加する、前記第1層群に連続してエピタキシャル成長した第2層群と、を備えていることを特徴とする傾斜機能膜。

IPC (4)：

H05B 33/28 ( 200 6.01) , H05B 33/10 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

H05B 33/28 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H01B 13/00 503 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

透明導電薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-076915 Applicant：株式会社豊田中央研究所
スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-085972 Applicant：日本曹達株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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