エピタキシャルウェハの製造方法、エピタキシャルウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：鈴木壯兵衞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015214758
Publication number (International publication number)：2017085047
Application date： Oct. 30, 2015
Publication date： May. 18, 2017
Summary：

【課題】エピタキシャル成長層の厚みを抑制しつつ、大電流でバイポーラ動作させても、基板上のエピタキシャル成長層と基板との界面から拡張する帯状積層欠陥の発生を効果的に抑制するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】エピタキシャルウェハの製造方法は、炭化珪素の基板の上に、導電型を決める主ドーパントを添加すると共に少数キャリアを捕獲する副ドーパントを主ドーパントのドーピング濃度より低いドーピング濃度で添加して、耐圧維持層から基板の方向に流れる少数キャリアの捕獲及び消滅を促進する、耐圧維持層より低抵抗の、炭化珪素を主成分とするバッファ層をエピタキシャル成長するステップ(S1〜S5)と、バッファ層の上に耐圧維持層をエピタキシャル成長するステップと、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭化珪素の基板と耐圧維持層とを備えるエピタキシャルウェハの製造方法において、前記基板の上に、導電型を決める主ドーパントを添加すると共に少数キャリアを捕獲する副ドーパントを前記主ドーパントのドーピング濃度より低いドーピング濃度で添加して、前記耐圧維持層から前記基板の方向に流れる前記少数キャリアの捕獲及び消滅を促進する、前記耐圧維持層より低抵抗の、炭化珪素を主成分とするバッファ層をエピタキシャル成長するステップと、前記バッファ層の上に前記耐圧維持層をエピタキシャル成長するステップと、を含むことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (9)：

H01L 21/205 , C30B 25/16 , C30B 25/20 , C30B 29/36 , C23C 16/42 , H01L 29/06 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 21/329

FI (10)：

H01L21/205 , C30B25/16 , C30B25/20 , C30B29/36 A , C23C16/42 , H01L29/06 301G , H01L29/91 D , H01L29/06 301V , H01L29/91 F , H01L29/91 A

F-Term (37)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC02 , 4G077TC12 , 4G077TJ06 , 4G077TK06 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA59

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

気相成長装置および気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-059830 Applicant：株式会社東芝
低オフアクシスSiCウエハ上のSiCのホモエピタキシャル成長
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-208524 Applicant：ノーステルエービー
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-020422 Applicant：三菱電機株式会社

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