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J-GLOBAL ID：201703020384951340

放射線検出素子の製造方法、放射線検出素子、およびそれを含む放射線検出器

Inventor：
青木 徹

About 青木 徹

, 
小池 昭史

About 小池 昭史


Applicant, Patent owner：
国立大学法人静岡大学

About 国立大学法人静岡大学

, 
株式会社ANSeeN

About 株式会社ANSeeN


Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016064481
Publication number (International publication number)：2017183357
Application date： Mar. 28, 2016
Publication date： Oct. 05, 2017
Summary：
【課題】単純化された製造工程で容易にピクセル構造を形成することが可能な放射線検出素子の製造方法を実現する。【解決手段】放射線検出素子の製造方法は、p型半導体層11、n型半導体層9、及び電極層5をこの順で積層されて含む放射線検出素子1の製造方法であって、p型半導体層11を主面3a側に含む基板3の主面3a上に、n型半導体にドープするための金属材料を積層して、金属膜15を形成するステップと、基板3の主面3b側から金属膜15に向けてレーザ光を照射することにより、基板3内のp型半導体層11と金属膜15とのn型半導体層9を形成し、金属膜15を電極層5として残すステップと、を含む。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び電極層をこの順で積層されて含む放射線検出素子の製造方法であって、 第1導電型半導体層を一方の主面側に含む基板の前記一方の主面上に、第2導電型半導体にドープするための金属材料を積層して、金属膜を形成するステップと、 前記基板の他方の主面側から前記金属膜に向けてレーザ光を照射することにより、前記基板内の前記第1導電型半導体層と前記金属膜との間に前記第2導電型半導体層を形成し、前記金属膜を前記電極層として残すステップと、 を含む放射線検出素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/144 ,  H01L 21/22 ,  G01T 1/24
FI (4)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 K ,  H01L21/22 E ,  G01T1/24
F-Term (27)：
2G188BB02 ,  2G188CC29 ,  2G188DD05 ,  2G188DD41 ,  2G188DD44 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  4M118HA30 ,  5F849AA02 ,  5F849AB09 ,  5F849BA18 ,  5F849BB03 ,  5F849CB08 ,  5F849CB14 ,  5F849CB15 ,  5F849FA05 ,  5F849FA15 ,  5F849GA03 ,  5F849LA07 ,  5F849XB17 ,  5F849XB51
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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