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J-GLOBAL ID：201802210817959586   Reference number：18A1790640

Investigation of an n^- layer in a silicon fast recovery diode under applied bias voltages using Kelvin probe force microscopy

ケルビンプローブ力顕微鏡を用いた印加バイアス電圧下でのシリコン高速リカバリダイオードにおけるn^-層の検討

Author (4)： URUMA Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SATOH Nobuo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hidekazu (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  IWATA Futoshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 8S1  Page： 08NB11.1-08NB11.5  Publication year： Aug. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *force microscope ,  *voltage ,  silicon ,  *diode ,  *active site ,  *electric potential distribution ,  PN junction ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *Kelvin probe force microscope ,  *bias voltage ,  *step recovery diode ,  active zone

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Reference (32)：

• N. Shibata, S. D. Findlay, H. Sasaki, T. Matsumoto, H. Sawada, Y. Kohno, S. Otomo, R. Minato, and Y. Ikuhara, Sci. Rep. 5, 10040 (2015).
• N. Chinone, K. Yamasue, Y. Hiranaga, K. Honda, and Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 101, 213112 (2012).
• M. Ito, K. Kobayashi, Y. Miyato, K. Matsushige, and H. Yamada, Appl. Phys. Lett. 102, 013115 (2013).
• H. Edwards, V. A. Ukraintsev, R. S. Martin, F. S. Johnson, P. Menz, S. Walsh, S. Ashburn, K. S. Wills, K. Harvey, and M. C. Chang, J. Appl. Phys. 87, 1485 (2000).
• K. Nakagami, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 85, 6028 (2004).

Terms in the title (6)： ケルビンプローブ力顕微鏡 ,  印加 ,  バイアス電圧 ,  シリコン ,  リカバリ ,  ダイオード