Art

J-GLOBAL ID：201802255795587876   Reference number：18A1238156

Heteroepitaxy of lattice-matched III-V-N/Si and its applications

Si基板に格子整合したIII-V-N混晶の成長とデバイス応用

Author (2)： WAKAHARA AKIHIRO (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  YAMANE KEISUKE (豊橋技科大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 87  Issue： 7  Page： 494-500  Publication year： Jul. 10, 2018 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *lattice match ,  *semiconductor alloys ,  *heteroepitaxy ,  *dislocation(crystal) ,  *band gap ,  *conductive property ,  defect ,  *nucleation ,  *control ,  nitrogen compound ,  *integrated circuit ,  evaluation technology ,  template ,  dynamic surface control ,  III-V semiconductor ,  gallium arsenide phosphide ,  *Si wafer ,  *lattice defect
Semi thesaurus term： III-V compound semiconductor ,  *engineering ,  key technology ,  GaAsP ,  *silicon substrate ,  thin film device

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Electrical properties in general  (BM03010R)

Reference (28)：

• 西永頌:応用物理 55,1069(1986).
• 梅野正義,神保孝志,江川孝志:応用物理 72,273(2003).
• H. Kroemer: J. Cryst. Growth 81, 193 (1987).
• A.E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G.E. Beltz, and J.S. Speck: J. Appl. Phys. 85, 182 (1999).
• Y. Takagi, H. Yonezu, K. Samonji, T. Tsuji, and N. Ohshima: J. Cryst. Growth 187, 42 (1998).

Terms in the title (5)： Si基板 ,  格子整合 ,  混晶 ,  成長 ,  応用