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J-GLOBAL ID：201802268441194713   Reference number：18A1472548

Fabrication of Near UV Transparent Conductive Film for GaN-based Integrated Surface Emitting Devices

GaN系集積化面発光素子用近紫外透明導電膜製作技術の開発研究

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Author (6)： HONDA TOORU (工学院大 先進工) ,  JANG Ja-Soon (Yeungnam Univ.) ,  SATO MITSUNOBU (工学院大 先進工) ,  NAGAI HIROKI (工学院大 先進工) ,  ONUMA TAKEYOSHI (工学院大 先進工) ,  YAMAGUCHI TOMOHIRO (工学院大 先進工)
Material： 工学院大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute of Science and Technology, Kogakuin University)
Issue： 25  Page： 43-51  Publication year： Jul. 2018 
JST Material Number： L2538A  ISSN： 1341-5786  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  oxide ,  *transparent conducting thin films ,  carbon nanotube ,  RIE ,  ICP analysis ,  transmissivity ,  spectrum ,  doping ,  etching ,  efficiency ,  *optical integrated circuit ,  *light emitting diode ,  surface emitting laser ,  near ultraviolet radiation ,  electric conduction ,  light transmission ,  selective etching ,  transmission spectrum ,  transparent conducting oxide
Semi thesaurus term： light extraction efficiency

JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (8)： GaN ,  集積化 ,  発光素子 ,  近紫外 ,  透明導電膜 ,  製作 ,  開発 ,  研究