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J-GLOBAL ID：201802268441194713   整理番号：18A1472548

GaN系集積化面発光素子用近紫外透明導電膜製作技術の開発研究

Fabrication of Near UV Transparent Conductive Film for GaN-based Integrated Surface Emitting Devices

著者 (6件)： 本田徹 (工学院大 先進工) ,  JANG Ja-Soon (Yeungnam Univ.) ,  佐藤光史 (工学院大 先進工) ,  永井裕己 (工学院大 先進工) ,  尾沼猛儀 (工学院大 先進工) ,  山口智広 (工学院大 先進工)
資料名： 工学院大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute of Science and Technology, Kogakuin University)
号： 25  ページ： 43-51  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： L2538A  ISSN： 1341-5786  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： この研究計画の目的は,GaN系集積面発光素子用の近UV透明導電性膜(TCF)を作製することである。詳細な研究課題は以下の通り。(1)高品質のII-O,III-O化合物半導体薄膜の作製とそれらの電気特性の制御,(2)金属ナノ結晶を分散した透明な導電性膜を使った光取出し効率の改善,及び(3)透明導電性膜によるGaN系集積面発光素子の実現である。TCFとして分子前駆体法(MPM)によりCNT添加Ga₂O₃膜を作製するのに成功した。本年度は,どのようにしてCNTがGa₂O₃中へ混入されるか,そしてMPMによるこれらCNT添加Ga₂O₃膜の電気伝導率機構はどのようなものかに焦点を合わせた。また,誘導結合プラズマ反応イオンエッチング(ICP-RIE)を使った選択エッチングにより集積面発光素子構造の作製の可能性探索と埋込み型の集積面発光素子構造の作製の可能性探索にも焦点を合わせた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  *透明導電膜 ,  カーボンナノチューブ ,  RIE【エッチング】 ,  ICP分析 ,  透過率 ,  スペクトル ,  ドーピング ,  エッチング ,  効率 ,  *光集積回路 ,  *発光ダイオード ,  面発光レーザ ,  近紫外線 ,  電気伝導
準シソーラス用語： 光取出し効率 ,  光透過率 ,  選択エッチング ,  透過スペクトル ,  透明導電性酸化物

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  集積化 ,  発光素子 ,  近紫外 ,  透明導電膜 ,  製作 ,  開発 ,  研究