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J-GLOBAL ID：201802279823882584   Reference number：18A0827664

High Resolution Characterizations of Semiconductor Device Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

走査型プローブ顕微鏡(非線形誘電率顕微鏡)を用いたデバイス観察

Author (1)： CHO YASUO (東北大学電気通信研究所)
Material： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
Volume： 61  Issue： 4  Page： 221-226(J-STAGE)  Publication year： 2018 
JST Material Number： G0194B  ISSN： 2433-5835  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *scanning probe microscope ,  *semiconductor device ,  depletion layer ,  *capacitance-voltage characteristic ,  solar cell ,  dopant ,  deep level transient spectroscopy ,  state density ,  MOS structure ,  *permittivity ,  *Microscopy ,  *scanning nonlinear dielectric microscope ,  silicon solar battery ,  interface state density
Semi thesaurus term： *semiconductor element ,  DLTS method ,  interface state density

Author keywords (4)： scanning nonlinear dielectric microscopy ,  semiconductor device ,  scanning nonlinear dielectric microscopy ,  semiconductor device

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Electron and ion microscopes  (BD02050B)

Reference (8)：

• 1) Y. Cho, A. Kirihara and T. Saeki : Rev. Sci. Instrum. 67, 2297 (1996).
• 2) Y. Cho : Jpn. J. Appl. Phys. 56, 100101 (2017).
• 3) K. Hirose, K. Tanahashi, H. Takato and Y. Cho : Appl. Phys. Lett. 111, 032101 (2017).
• 4) N. Chione, T. Nakamura and Y. Cho : J. Appl. Phys. 116, 084509 (2014).
• 5) K. Hirose, Y. Goto, N. Chinone and Y. Cho : Jpn. J. Appl. Phys. 55, 08NB13 (2016).

Terms in the title (5)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  非線形 ,  誘電率 ,  顕微鏡 ,  観察