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J-GLOBAL ID：201802286203998526   Reference number：18A0631988

SiO₂/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御

Author (11)： YAMADA TAKAHIRO (大阪大 大学院) ,  TERASHIMA DAIKI (大阪大 大学院) ,  WATANABE KENTA (大阪大 大学院) ,  NOZAKI MIKITO (大阪大 大学院) ,  YAMADA HISASHI (産業技術総合研) ,  TAKAHASHI TOKIO (産業技術総合研) ,  SHIMIZU MITSUAKI (産業技術総合研) ,  YOSHIGOE AKITAKA (原子力発電技術機構) ,  HOSOI TAKUJI (大阪大 大学院) ,  SHIMURA TAKAYOSHI (大阪大 大学院) ,  WATANABE HEIJI (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.18p-C302-8  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  MOSFET ,  *power electronics ,  *silicon dioxide ,  *thermal oxidation ,  *gate dielectric film ,  degradation (alteration) ,  plasma CVD ,  *thin film condenser ,  *capacitance-voltage characteristic ,  voltage ,  photoelectron spectrum ,  core level ,  *interface (surface) ,  oxidized layer ,  breakdown voltage
Semi thesaurus term： MOS capacitor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： SiO2 ,  GaN ,  MOSデバイス ,  信頼性向上 ,  界面 ,  酸化層