Pat
J-GLOBAL ID:201803000986309808
半導体装置
Inventor:
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
片山 修平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016217291
Publication number (International publication number):2018078146
Application date: Nov. 07, 2016
Publication date: May. 17, 2018
Summary:
【課題】性能の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】基板10上に設けられたグラフェン層12と、前記グラフェン層上に設けられたソース電極24およびドレイン電極26と、前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜14と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極20および第2ゲート電極22と、を具備し、前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられ、前記第2ゲート電極のゲート長Lg2は前記第1ゲート電極のゲート長Lg1より小さい半導体装置。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極および第2ゲート電極と、
を具備し、
前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられ、
前記第2ゲート電極のゲート長は前記第1ゲート電極のゲート長より小さい半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
FI (5):
H01L29/78 301B
, H01L29/78 301G
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310E
F-Term (15):
5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BC11
, 5F140BD01
, 5F140BD11
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF07
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF46
, 5F140BG27
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
, 5F140BK29
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-043392
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-181575
Applicant:住友電気工業株式会社, 国立大学法人東北大学
-
アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-135976
Applicant:三星電子株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2015-027315
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
グラフェントランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2012-167426
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
グラフェン・ベースの三次元集積回路デバイス
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2012-557052
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-084325
Applicant:株式会社東芝
-
二層グラフェントンネル電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-239027
Applicant:アイメック, カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン
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Cited by examiner (8)
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半導体装置
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Application number:特願2007-043392
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