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J-GLOBAL ID:201803000986309808

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 片山 修平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016217291
Publication number (International publication number):2018078146
Application date: Nov. 07, 2016
Publication date: May. 17, 2018
Summary:
【課題】性能の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】基板10上に設けられたグラフェン層12と、前記グラフェン層上に設けられたソース電極24およびドレイン電極26と、前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜14と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極20および第2ゲート電極22と、を具備し、前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられ、前記第2ゲート電極のゲート長Lg2は前記第1ゲート電極のゲート長Lg1より小さい半導体装置。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に設けられたグラフェン層と、 前記グラフェン層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極および第2ゲート電極と、 を具備し、 前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられ、 前記第2ゲート電極のゲート長は前記第1ゲート電極のゲート長より小さい半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (5):
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E
F-Term (15):
5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BC11 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF46 ,  5F140BG27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK29
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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