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J-GLOBAL ID：201803002935928018

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  塚越 一仁 ,  相川 慎也
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (1)： 特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016213693
Publication number (International publication number)：2017041646
Patent number：6296463
Application date： Oct. 31, 2016
Publication date： Feb. 23, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と を設け、 前記半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第1金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物を添加した複合金属酸化物である、 薄膜トランジスタであって、 酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも小さい追加の酸化物が、前記酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物の添加量よりも少ない量だけ前記半導体層に一様に添加されているとともに、 前記酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物が、ジルコニウム、炭素、シリコン、タンタル及びハフニウムからなる群から選択された少なくとも一つを含み、 前記半導体層が非晶質である、 薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 21/363

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-156253   Applicant：出光興産株式会社
• 電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-007788   Applicant：出光興産株式会社
• 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-078996   Applicant：出光興産株式会社
• 無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-096030   Applicant：富士フイルム株式会社