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J-GLOBAL ID：201003002545236477

電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法

Inventor： 矢野 公規 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  笠見 雅司 ,  川嶋 浩和
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (3)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009007788
Publication number (International publication number)：2010165922
Application date： Jan. 16, 2009
Publication date： Jul. 29, 2010
Summary：

【課題】遮断周波数の高い電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】酸化物を含む半導体層、及び半導体層の保護層を有し、前記半導体層の、下記A又はBに対するエッチングレートが、酸化ケイ素のエッチングレートの2分の1以下である、電界効果型トランジスタ。 A:10質量%の弗化水素酸を含むウェットエッチング液 B:15質量%の弗化アンモニウムを含むウェットエッチング液【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物を含む半導体層、及び前記半導体層の保護層を有し、 前記半導体層の、下記A又はBに対するエッチングレートが、酸化ケイ素のエッチングレートの2分の1以下である、電界効果型トランジスタ。 A:10質量%の弗化水素酸を含むウェットエッチング液 B:15質量%の弗化アンモニウムを含むウェットエッチング液

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B

F-Term (57)：

5F110AA02 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-074630   Applicant：キヤノン株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325364   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (10)

• ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-273863   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-314243   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその形成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-519497   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• アクティブマトリクス配線基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070075   Applicant：シャープ株式会社
• 有機電界発光表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-128655   Applicant：富士フイルム株式会社
• 液晶表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-365244   Applicant：株式会社日立製作所
• 不良化の原因となっている研磨面外周部の毛先部の変形特性を有効利用した歯ブラシ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-337174   Applicant：藏野正彦
• 特開平2-077017
  
• 特開平2-077017