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J-GLOBAL ID：200903008966790519

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット

Inventor：
矢野 公規

About 矢野 公規

, 
井上 一吉

About 井上 一吉


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007078996
Publication number (International publication number)：2008243928
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。【解決手段】画像表示装置1は、ガラス基板10、光制御素子としての液晶40、この液晶40を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ1、画素電極30及び対向電極50を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ1の非晶質酸化物半導体薄膜2は、キャリア密度が10+18cm-3未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
キャリア密度が10+18cm-3未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶であることを特徴とする非晶質酸化物半導体薄膜。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/306 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08
FI (9)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/306 B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/363 ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 D
F-Term (65)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA02 ,  2H092MA18 ,  2H092NA21 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F043AA18 ,  5F043BB18 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
  • 電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325364   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 半透過半反射型電極基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-027999   Applicant：出光興産株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-508258   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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Cited by examiner (2)

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