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J-GLOBAL ID：200903091626239804

結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ

Inventor： 渋谷 忠夫 ,  矢野 公規 ,  井上 一吉 ,  宇都野 太
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007156253
Publication number (International publication number)：2008311342
Application date： Jun. 13, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：

【課題】キャリア濃度が低く、ホール移動度が高く及びエネルギーバンドギャップが大きい結晶酸化物半導体を提供する。【解決手段】インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たす結晶酸化物半導体。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、 X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たす結晶酸化物半導体。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/08

FI (5)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  C01G15/00 B ,  C23C14/08 D

F-Term (39)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK33 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-059905   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
• 導電性透明基材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-132030   Applicant：出光興産株式会社
• 画像表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325365   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325370   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 国際公開第2006/095733号パンフレット
  

Cited by examiner (8)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-258264   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-334501   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082043   Applicant：科学技術振興事業団
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-389846   Applicant：三洋電機株式会社
• 電子素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-083094   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-257580   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325370   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• アクティブマトリクス基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-061985   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 非晶性透明導電膜IZOの電気特性と構造