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J-GLOBAL ID：201803004722029845

半導体装置

Inventor： 齋藤 渉 ,  筒井 一生 ,  岩井 洋 ,  角嶋 邦之 ,  若林 整
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社
Agent (3)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014159280
Publication number (International publication number)：2016039161
Patent number：6258148
Application date： Aug. 05, 2014
Publication date： Mar. 22, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】 GaN系半導体の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい、GaN系半導体の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられるソース電極およびドレイン電極であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくともいずれか一方の前記第2の半導体層に接する側に、複数の凸部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記第2の半導体層の上に設けられるゲート電極と、 を備え、 前記凸部の、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記第2の半導体層に接する側に占める割合が、前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に減少し、 前記凸部が前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に伸長する半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (9)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/44 S ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/44 P ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-060848   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-085473   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-014696   Applicant：沖電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-070814   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-100671   Applicant：三菱電機株式会社