Pat
J-GLOBAL ID：201803004722029845
半導体装置
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (3)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014159280
Publication number (International publication number)：2016039161
Patent number：6258148
Application date： Aug. 05, 2014
Publication date： Mar. 22, 2016
Claim (excerpt)：
【請求項1】 GaN系半導体の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい、GaN系半導体の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に設けられるソース電極およびドレイン電極であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくともいずれか一方の前記第2の半導体層に接する側に、複数の凸部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記第2の半導体層の上に設けられるゲート電極と、
を備え、
前記凸部の、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記第2の半導体層に接する側に占める割合が、前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に減少し、
前記凸部が前記ソース電極または前記ドレイン電極から前記ゲート電極に向かう方向に伸長する半導体装置。
IPC (8)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
, H01L 29/50 J
, H01L 29/44 S
, H01L 29/44 L
, H01L 29/44 P
, H01L 29/50 M
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/78 301 B
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