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J-GLOBAL ID：201803004860985854

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  塚越 一仁 ,  徐 勇
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013243413
Publication number (International publication number)：2015103677
Patent number：6327548
Application date： Nov. 26, 2013
Publication date： Jun. 04, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ソース電極及びドレイン電極と、 インジウムを含む金属酸化物半導体層と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられ、酸化タンタルからなるバリア層と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられた絶縁体層と を有する薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 618 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• トランジスタ、表示装置および電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-257438   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-042575   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-033154   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置および半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-009744   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 酸化物半導体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-041366   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-251914   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所