薄膜トランジスタ及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013243413
Publication number (International publication number)：2015103677
Patent number：6327548
Application date： Nov. 26, 2013
Publication date： Jun. 04, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】ソース電極及びドレイン電極と、インジウムを含む金属酸化物半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられ、酸化タンタルからなるバリア層と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられた絶縁体層とを有する薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 618 B , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 618 A

Patent cited by the Patent：

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