トランジスタ、表示装置および電子機器

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人つばさ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011257438
Publication number (International publication number)：2013115099
Application date： Nov. 25, 2011
Publication date： Jun. 10, 2013
Summary：

【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えたトランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , G02F 1/136

FI (11)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 616T , H01L29/78 618B , H01L29/78 612C , H01L29/78 612B , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/28 100A , H01L29/28 220B , H01L29/28 250H , G02F1/1368

F-Term (94)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092KA09 , 2H092MA02 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD63 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF26 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104HH08 , 4M104HH09 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG48 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HM02 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-208210 Applicant：パイオニア株式会社
有機電界効果トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-350893 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-378476 Applicant：カシオ計算機株式会社

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Cited by examiner (9)

有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-208210 Applicant：パイオニア株式会社
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