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J-GLOBAL ID：201803005326241110

炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置

Inventor：
田島 道夫

About 田島 道夫

, 
小椋 厚志

About 小椋 厚志


Applicant, Patent owner：
学校法人明治大学

About 学校法人明治大学


Agent (2)： 田久保 泰夫 ,  嶋田 一義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018003897
Publication number (International publication number)：2018125524
Application date： Jan. 14, 2018
Publication date： Aug. 09, 2018
Summary：
【課題】 従来技術よりも高温の領域で測定することにより、短時間かつ高精度にシリコン結晶中の炭素濃度を測定することを可能とする、炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置を提供する。【解決手段】 本発明の炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度測定装置10は、格子位置の前記炭素の原子を格子間位置に変位処理されたシリコン結晶を63K〜100Kの温度範囲に冷却する冷却部と、前記シリコン結晶にキャリアを励起する励起部と、前記励起した前記シリコン結晶の発光スペクトルに含まれる複数の波長の発光強度を測定するスペクトル測定部と、前記スペクトル測定部で測定した複数の波長の中から選択した特定波長の発光強度又はその特定波長を含む発光ピークの積分強度に基づき、前記シリコン結晶中の炭素濃度を算出する濃度算出部と、を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度を測定する炭素濃度測定方法であって、 (A)格子位置の前記炭素の原子を格子間位置に変位処理されたシリコン結晶を63K〜100Kの温度範囲に冷却するステップと、 (B)前記ステップ(A)の後に、前記シリコン結晶にキャリアを励起するステップと、 (C)前記ステップ(B)でキャリアを励起した前記シリコン結晶の発光スペクトルに含まれる複数の波長の発光強度を測定するステップと、 (D)前記ステップ(C)で測定した複数の波長から選択した特定波長の発光強度又はその特定波長を含む発光ピークの積分強度に基づき、前記シリコン結晶中の炭素濃度を算出するステップと、 を備えることを特徴とする炭素濃度測定方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/64
FI (2)：
H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z
F-Term (27)：
2G043AA01 ,  2G043BA07 ,  2G043CA05 ,  2G043DA08 ,  2G043EA01 ,  2G043FA06 ,  2G043GA07 ,  2G043GB07 ,  2G043JA04 ,  2G043KA01 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA21 ,  4M106CB01 ,  4M106DH13 ,  4M106DH32 ,  4M106DH37 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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