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J-GLOBAL ID：201803007675480400

半導体素子及びその製造方法、並びに半導体集積回路

Inventor： 森 貴洋
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015535383
Patent number：6253034
Application date： Jul. 30, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 アイソエレクトロニックトラップ形成不純物を含む間接遷移型半導体の半導体領域でトンネル接合の全体又は一部が構成され、かつ、前記半導体領域及び前記トンネル接合に基づくトンネル電界効果トランジスタの素子構造を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L 29/66 ( 200 6.01) ,  H01L 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 29/167 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (9)：

H01L 29/66 T ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/167 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 616 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭61-176153
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-063745   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭48-102990
  
• 不揮発性半導体記憶素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-030859   Applicant：旭硝子株式会社, 小柳光正
• 特開昭54-059891
  
• 多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-131763   Applicant：国立大学法人群馬大学
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-069876   Applicant：三菱電機株式会社